收藏本站
IDT71V432, 32K x 32 CacheRAM
3.3V Synchronous SRAM with Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics
(V DD = 3.3V +10/-5%, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
71V432S5
71V432S6
71V432S7
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
CLOCK PARAMETERS
t CYC
Clock Cycle Time
10
____
12
____
15
____
ns
t CH
(1)
Clock High Pulse Width
4
____
4.5
____
5
____
ns
t CL (1)
Clock Low Pulse Width
4
____
4.5
____
5
____
ns
OUTPUT PARAMETERS
t CD
t CDC
Clock High to Valid Data
Clock High to Data Change
____
1.5
5
____
____
2
6
____
____
2
7
____
ns
ns
t CLZ
(2)
Clock High to Output Active
0
____
0
____
0
____
ns
t CHZ (2)
t OE
Clock High to Data High-Z
Output Enable Access Time
1.5
____
5
5
2
____
5
5
2
____
6
6
ns
ns
t OLZ
(2)
Output Enable Low to Data Active
0
____
0
____
0
____
ns
t OHZ
(2)
Output Enable High to Data High-Z
____
4
____
5
____
6
ns
SETUP TIMES
t SA
t SS
t SD
t SW
t SAV
t SC
Address Setup Time
Address Status Setup Time
Data in Setup Time
Write Setup Time
Address Advance Setup Time
Chip Enable/Select Setup Time
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
____
____
____
____
____
____
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
____
____
____
____
____
____
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
HOLD TIMES
t HA
t HS
t HD
t HW
t HAV
t HC
Address Hold Time
Address Status Hold Time
Data In Hold Time
Write Hold Time
Address Advance Hold Time
Chip Enable/Select Hold Time
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
____
____
____
____
____
____
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
____
____
____
____
____
____
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SLEEP MODE AND CONFIGURATION PARAMETERS
t ZZPW
t ZZR (3)
t CFG (4)
ZZ Pulse Width
ZZ Recovery Time
Configuration Set-up Time
100
100
40
—
—
—
100
100
50
____
____
____
100
100
50
____
____
____
ns
ns
ns
NOTES:
1. Measured as HIGH above 2.0V and LOW below 0.8V.
2. Transition is measured ±200mV from steady-state.
3. Device must be deselected when powered-up from sleep mode.
4. t CFG is the minimum time required to configure the device based on the LBO input. LBO is a static input and must not change during normal operation.
9
6.42
3104 tbl 15
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IDT71V546S133PFGI IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP
IDT71V547S80PFGI IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP
IDT71V632S7PFGI IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP
IDT71V65703S85BGGI IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA
IDT71V65803S150BGI IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA
IDT71V67602S166BGG IC SRAM 9MBIT 166MHZ 119BGA
IDT71V67603S166PFGI IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100TQFP
IDT71V67703S85BGGI IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA
相关代理商/技术参数
IDT71V432S5PFGI8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 5NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘
IDT71V432S6PF 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V432S6PF8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V432S6PFG 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘
IDT71V432S6PFG8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘
IDT71V432S6PFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP
IDT71V432S6PFGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP
IDT71V432S6PFI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040